MOSFET Infineon IPP111N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 83 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
214000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
41 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
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Altura
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Tensión de diodo directa
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