MOSFET Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, TO-252 de 3 pines

Código de producto RS: 222-4669PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD60N10S4L12ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

OptiMOS™

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.012 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Material del transistor

Silicon

Número de Elementos por Chip

1

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€ 48,11

€ 0,962 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, TO-252 de 3 pines
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Empaque de Producción (Rollo)

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 10
50€ 48,11
60€ 57,73
70€ 67,35
80€ 76,97
90€ 86,59
100€ 92,10
110€ 101,31
120€ 110,52
130€ 119,74
140€ 128,95
150€ 138,16
160€ 147,37
170€ 156,58
180€ 165,79
190€ 175,00

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
50 - 90€ 0,962€ 9,62
100 - 240€ 0,921€ 9,21
250 - 490€ 0,882€ 8,82
500+€ 0,82€ 8,20

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