Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
131 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO252-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Información de stock no disponible temporalmente.
$ 868,46
$ 0,434 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPD029N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 131 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos
2000
$ 868,46
$ 0,434 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPD029N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 131 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos
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2000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
2000 - 2000 | $ 0,434 | $ 868,46 |
4000+ | $ 0,424 | $ 847,09 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
131 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO252-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC