Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Información de stock no disponible temporalmente.
€ 1.365,16
€ 1,706 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
€ 1.365,16
€ 1,706 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
Información de stock no disponible temporalmente.
800
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC