MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,064 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.7V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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€ 185,41
€ 6,18 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 6,18 | € 185,41 |
| 60 - 60 | € 5,871 | € 176,14 |
| 90+ | € 5,50 | € 165,01 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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