Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
$ 25,01
$ 25,01 Each (Sin IVA)
Estándar
1
$ 25,01
$ 25,01 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 25,01 |
10 - 99 | $ 22,51 |
100+ | $ 20,76 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC