MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
OptiMOS P
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
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OptiMOS P
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
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MOSFET Transistors, Infineon
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