Transistor bipolar de RF, BFP720H6327XTSA1, NPN 25 mA 13 V SOT-343, 4 pines, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
25 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
13 V
Tipo de Encapsulado
SOT-343
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
13 V
Tensión Máxima Emisor-Base
1.2 V
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.9mm
Datos del producto
Transistores bipolares SiGe RF, Infineon
Una gama de transistores de RF bipolares NPN de banda ancha y ruido muy bajo de Infineon. Estos dispositivos bipolares de heteroestructura utilizan la tecnología de material de carbono de silicio-germanio (SiGe:C) de Infineon y son especialmente adecuados para utilizar en aplicaciones móviles en las que el bajo consumo de potencia es un requisito clave. Con frecuencias de transición típicas de hasta 65 GHz, estos dispositivos ofrecen una alta ganancia de potencia en frecuencias de hasta 10 GHz cuando se utilizan en aplicaciones de amplificador. Los transistores incluyen circuitos internos para protección contra ESD y protección de potencia de entrada de RF excesiva.
Bipolar Transistors, Infineon
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€ 3,40
€ 0,226 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
15
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Una gama de transistores de RF bipolares NPN de banda ancha y ruido muy bajo de Infineon. Estos dispositivos bipolares de heteroestructura utilizan la tecnología de material de carbono de silicio-germanio (SiGe:C) de Infineon y son especialmente adecuados para utilizar en aplicaciones móviles en las que el bajo consumo de potencia es un requisito clave. Con frecuencias de transición típicas de hasta 65 GHz, estos dispositivos ofrecen una alta ganancia de potencia en frecuencias de hasta 10 GHz cuando se utilizan en aplicaciones de amplificador. Los transistores incluyen circuitos internos para protección contra ESD y protección de potencia de entrada de RF excesiva.
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