Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 2,76
€ 0,276 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 2,76
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto


