Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 350 → 970 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, Smart DIL
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±60 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
Smart DIL
Dimensiones
2.7 x 2.1 x 1.05mm
Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 970 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Longitud
2.7mm
Profundidad
2.1mm
Tensión de saturación
100mV
Tensión del colector de emisión
0.5V
Tensión del colector de emisión
5.5 V
Altura
1.05mm
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 919,90
€ 0,46 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Longitud
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Profundidad
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Tensión de saturación
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Tensión del colector de emisión
0.5V
Tensión del colector de emisión
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Altura
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