MOSFET Vishay SI8489EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 4,3 A, MICRO FOOT de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
MICRO FOOT
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Anchura
1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.268mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 47,65
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
€ 47,65
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
200
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,238 | € 4,76 |
| 1000 - 1980 | € 0,216 | € 4,33 |
| 2000 - 4980 | € 0,203 | € 4,06 |
| 5000+ | € 0,19 | € 3,80 |
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P
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4.3 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
MICRO FOOT
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Anchura
1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.268mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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