MOSFET Vishay SI4532ADY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 3 A, 3,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A, 3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
53 mΩ, 80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,13 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V, 8 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.55mm
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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10
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Montaje superficial
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8
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,13 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V, 8 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
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