Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.1mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 5,49
€ 0,275 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.1mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto