MOSFET Vishay SI3433CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3142Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI3433CDV-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.1mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P

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Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

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1

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