Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,48
€ 1,48 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 1,48
€ 1,48 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 1,48 |
10 - 49 | € 1,33 |
50 - 99 | € 1,19 |
100 - 249 | € 1,10 |
250+ | € 1,03 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto