MOSFET Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 80 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-3899Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiSS02DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

65.7 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

3.15mm

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

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N

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80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

65.7 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

3.15mm

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Material del transistor

Si

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