MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 647,66
€ 0,216 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 647,66
€ 0,216 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products