MOSFET Toshiba TK72A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 72 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,61
€ 1,122 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,122 | € 5,61 |
| 25 - 95 | € 0,986 | € 4,93 |
| 100 - 245 | € 0,861 | € 4,31 |
| 250 - 495 | € 0,821 | € 4,11 |
| 500+ | € 0,798 | € 3,99 |
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N
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72 A
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80 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Altura
15mm
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