MOSFET Toshiba TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-2481PMarca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK60S06K3L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

88 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

7mm

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

Japan

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$ 6,51

$ 1,301 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 6,51
10$ 13,01
15$ 19,52
20$ 26,02
25$ 32,53
30$ 39,03
35$ 45,54
40$ 52,04
45$ 58,55
50$ 65,06
55$ 71,56
60$ 78,07
65$ 84,57
70$ 91,08
75$ 97,58

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Tipo de montaje

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3

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12.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

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