Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
56 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 9,53
$ 2,382 Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)
Estándar
4
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
56 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto