MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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$ 6,16
$ 1,232 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1,232 | $ 6,16 |
| 25 - 45 | $ 0,799 | $ 4,00 |
| 50 - 120 | $ 0,778 | $ 3,89 |
| 125 - 245 | $ 0,759 | $ 3,80 |
| 250+ | $ 0,738 | $ 3,69 |
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9.7 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
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