Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 19,77
€ 3,95 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
€ 19,77
€ 3,95 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
5 - 9 | € 3,95 |
10 - 24 | € 3,56 |
25 - 49 | € 3,19 |
50+ | € 3,04 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Datos del producto