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MOSFET STMicroelectronics STP9NK90Z, VDSS 900 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0213Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP9NK90Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 24€ 3,34
25 - 99€ 3,15
100 - 499€ 2,51
500+€ 2,25

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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