Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 53,09
€ 1,062 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 53,09
€ 1,062 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,062 | € 53,09 |
100 - 450 | € 0,825 | € 41,24 |
500 - 950 | € 0,698 | € 34,91 |
1000 - 4950 | € 0,583 | € 29,16 |
5000+ | € 0,549 | € 27,46 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.