Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 21,40
€ 2,14 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 21,40
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Empaque de Producción (Tubo)
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto