Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±22 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
€ 1.761,36
€ 0,587 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±22 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101