MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
FDmesh
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Altura
16.4mm
Datos del producto
MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 109,70
€ 2,194 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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5V
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Longitud
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Material del transistor
Si
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