MOSFET STMicroelectronics STB70NF3LLT4, VDSS 30 V, ID 70 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET F3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 4,5 V
Longitud
10.75mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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1000
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET F3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 4,5 V
Longitud
10.75mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
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