Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
10.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 99 | € 3,29 |
100 - 499 | € 2,94 |
500 - 999 | € 2,59 |
1000+ | € 2,25 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
10.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto