MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5697PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB100N10F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

61 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Ancho

9.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.6mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 81,07

€ 3,243 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 5
25€ 81,07
30€ 97,28
35€ 113,50
40€ 129,71
45€ 145,93
50€ 145,86
55€ 160,44
60€ 175,03
65€ 189,61
70€ 204,20
75€ 218,78
80€ 233,37
85€ 247,95
90€ 262,54
95€ 277,13

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
25 - 45€ 3,243€ 16,21
50 - 120€ 2,917€ 14,59
125 - 245€ 2,627€ 13,14
250+€ 2,493€ 12,47

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

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1

Longitud:

10.4mm

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61 nC a 10 V

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+175 °C

Material del transistor

Si

Ancho

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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