MOSFET STMicroelectronics SCTW70N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SCTW70N
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.021 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
€ 975,79
€ 32,526 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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N
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91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SCTW70N
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.021 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
1
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SiC