MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 35,77
€ 0,715 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 35,77
€ 0,715 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,715 | € 35,77 |
| 100 - 200 | € 0,652 | € 32,62 |
| 250+ | € 0,637 | € 31,85 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products