Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RQ5E035BN
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
$ 17,87
$ 0,357 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
$ 17,87
$ 0,357 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 200 | $ 0,357 | $ 17,87 |
250 - 450 | $ 0,277 | $ 13,83 |
500 - 2450 | $ 0,268 | $ 13,42 |
2500 - 4950 | $ 0,259 | $ 12,94 |
5000+ | $ 0,252 | $ 12,60 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RQ5E035BN
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Datos del producto