MOSFET onsemi NTMYS5D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 71 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
71 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.25mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.15mm
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€ 30,80
€ 1,232 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 30,80
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Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 1,232 | € 30,80 |
| 100 - 225 | € 1,062 | € 26,55 |
| 250+ | € 0,921 | € 23,03 |
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Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.25mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
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