Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.25mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.15mm
€ 2.273,86
€ 0,758 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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N
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36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.25mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.15mm