Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
$ 15,45
$ 0,772 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
$ 15,45
$ 0,772 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 180 | $ 0,772 | $ 15,45 |
200 - 480 | $ 0,665 | $ 13,31 |
500+ | $ 0,578 | $ 11,56 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto