Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
142 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 7,78
€ 0,311 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
€ 7,78
€ 0,311 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
142 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto