MOSFET onsemi FQPF7N80C, VDSS 800 V, ID 6.6 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
QFET
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Altura
9.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, de 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,63
€ 2,126 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 10,63
€ 2,126 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,126 | € 10,63 |
| 50 - 95 | € 1,833 | € 9,16 |
| 100 - 495 | € 1,589 | € 7,94 |
| 500 - 995 | € 1,396 | € 6,98 |
| 1000+ | € 1,272 | € 6,36 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
QFET
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Altura
9.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, de 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products