MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 172-3425Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCP190N65S3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

144000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.7mm

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

16.3mm

País de Origen

China

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$ 1.450,47

$ 1,813 Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)

MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

800

Disponible en múltiplos de 800
800$ 1.450,47
1600$ 2.823,98
2400$ 4.235,97
3200$ 5.502,59
4000$ 6.878,24
4800$ 8.253,89
5600$ 9.390,11
6400$ 10.731,56
7200$ 12.073,00
8000$ 13.414,44
8800$ 14.755,89
9600$ 16.097,33
10400$ 17.438,78
11200$ 18.780,22
12000$ 20.121,67

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7200$ 12.073,00
8000$ 13.414,44
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
800 - 800$ 1,813$ 1.450,47
1600 - 2400$ 1,765$ 1.411,99
3200 - 4800$ 1,72$ 1.375,65
5600+$ 1,677$ 1.341,44

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N

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17 A

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650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

144000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.7mm

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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