Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
10
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.4W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
8
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.95mm
Anchura
3.1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Corriente de Prueba
8mA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
10
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.4W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
8
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.95mm
Anchura
3.1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Corriente de Prueba
8mA
Datos del producto


