MOSFET onsemi BSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 103-2965Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BSS138LT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

225 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2.9mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.94mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Czech Republic

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 190,31

$ 0,063 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET onsemi BSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 190,31
6000$ 380,62
9000$ 570,92
12000$ 761,23
15000$ 931,29
18000$ 1.117,55
21000$ 1.303,81
24000$ 1.490,07
27000$ 1.676,33
30000$ 1.862,59
33000$ 2.048,84
36000$ 2.235,10
39000$ 2.421,36
42000$ 2.607,62
45000$ 2.793,88

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
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15000+$ 0,062$ 186,26

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

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1.3mm

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