Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 70,45
$ 0,352 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
$ 70,45
$ 0,352 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
200 - 480 | $ 0,352 | $ 7,04 |
500 - 980 | $ 0,306 | $ 6,13 |
1000 - 1980 | $ 0,269 | $ 5,37 |
2000+ | $ 0,244 | $ 4,89 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.