Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
9.5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
900 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Transistores bipolares RF, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Price on asking
Each (On a Reel of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
9.5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
900 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
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