MOSFET Nexperia PMV250EPEAR, VDSS 40 V, ID 1,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 136-4864Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMV250EPEAR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

PMV250EPEA

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

240 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

6.25 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a -10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 10,42

$ 0,104 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

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Producción -

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100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 10,42
200$ 20,84
300$ 31,26
400$ 41,69
500$ 52,11
600$ 51,31
700$ 59,86
800$ 68,41
900$ 76,96
1000$ 85,51
1100$ 94,06
1200$ 102,61
1300$ 111,16
1400$ 119,71
1500$ 112,23

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1000$ 85,51
1100$ 94,06
1200$ 102,61
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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600 - 1400$ 0,086$ 8,55
1500+$ 0,075$ 7,48

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P

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PMV250EPEA

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

240 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

6.25 W

Configuración de transistor

Single

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Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a -10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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