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MOSFET Nexperia BSN20BKR, VDSS 60 V, ID 330 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 136-4845PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSN20BKR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

BSN20BK

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,49 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 94,60

$ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia BSN20BKR, VDSS 60 V, ID 330 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

600

Disponible en múltiplos de 100
600$ 94,60
700$ 110,36
800$ 126,13
900$ 141,89
1000$ 157,66
1100$ 173,43
1200$ 189,19
1300$ 204,96
1400$ 220,72
1500$ 204,42
1600$ 218,05
1700$ 231,68
1800$ 245,31
1900$ 258,94
2000$ 272,56

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1000$ 157,66
1100$ 173,43
1200$ 189,19
1300$ 204,96
1400$ 220,72
1500$ 204,42
1600$ 218,05
1700$ 231,68
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
600 - 1400$ 0,158$ 15,77
1500+$ 0,136$ 13,63

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N

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BSN20BK

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,49 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Tensión de diodo directa

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