Transistor MOSFET & Diodo IXYS IXFN150N15, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227B de 4 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

150 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

600000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

360 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.2mm

Ancho

25.07mm

Series

HiperFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.6mm