MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
27 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
HiperFET, Q-Class
Tipo de Encapsulado
TO-264AA
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.13mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
19.96mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
26.16mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Q
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 690,90
€ 27,636 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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Disipación de Potencia Máxima
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Ancho
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Material del transistor
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Número de Elementos por Chip
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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