MOSFET IXYS IXFH46N65X2, VDSS 650 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
HiperFET, X2-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
69 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
660 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
21.34mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
5.21mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 213,34
€ 7,111 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
Ancho
21.34mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
5.21mm
País de Origen
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
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