MOSFET Infineon IRLB8314PBF, VDSS 30 V, ID 171 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
171 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.83mm
Altura
16.51mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 38,27
€ 0,765 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 38,27
€ 0,765 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,765 | € 38,27 |
| 100 - 200 | € 0,597 | € 29,83 |
| 250 - 450 | € 0,574 | € 28,70 |
| 500 - 1200 | € 0,543 | € 27,16 |
| 1250+ | € 0,483 | € 24,13 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
Profundidad
4.83mm
Altura
16.51mm
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-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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