Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
198 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
DirectFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
141 nC a 20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.53mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 38,75
€ 1,937 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
€ 38,75
€ 1,937 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
20 - 48 | € 1,937 | € 3,88 |
50 - 98 | € 1,807 | € 3,61 |
100 - 198 | € 1,676 | € 3,35 |
200+ | € 1,569 | € 3,14 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
198 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
DirectFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
141 nC a 20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.53mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.