MOSFET Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
OptiMOS P
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
58 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 22,82
€ 0,913 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,913 | € 22,82 |
| 50 - 100 | € 0,712 | € 17,80 |
| 125 - 225 | € 0,666 | € 16,66 |
| 250 - 600 | € 0,621 | € 15,52 |
| 625+ | € 0,575 | € 14,37 |
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50 A
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40 V
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
58 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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